《半導體》創見工業級DDR5記憶體模組 出擊高階工業應用

創見最新DDR5記憶體模組速度最高提升至5600MT/s，擁有超高頻寬、低功耗優勢，相比DDR4 3200傳輸效能大幅增長，提升巨量資料的穩定傳輸速度。兩組完全獨立的32位元子通道傳輸架構，縮短資料載入時間，減少系統存取延遲。有別於DDR4世代，DDR5工作電壓降低至1.1V，並搭載電源管理IC(PMIC)，更能有效控制系統電源負載，電源轉換效率提高，提升訊號完整性，進而優化系統能源效率。

爲實現更高的工作效能，DDR5記憶體模組在容量、資料密度方面皆有所突破，但由於製程微縮技術，衍伸出較高的資料錯誤風險，因此，內建On-Die ECC資料糾錯機制，能夠偵測、修正儲存單位中的位元錯誤，有效提高資料正確性，改善訊號容錯率，強化高階應用在可靠度、可用性與可維護性等方面的能力。

創見最新推出的工業級DDR5 5600記憶體模組，全產品線包含Unbuffered Long-DIMM與SO-DIMM、ECC Long-DIMM與SO-DIMM以及Registered Long-DIMM等類型，廣泛相容於企業端多元平臺與裝置。