《半導體》IET-US與美商務部籤晶片法案備忘錄 補助約1030萬美元

IET-KY代子公司IET-US公告與美國商務部簽訂晶片法案備忘錄，補助金額約1030萬美元，用於支持其位於德州現有製造工廠的擴建和現代化，以增加磊晶片產量。

這也是繼德州晶片法案補助412萬美元正式簽約生效，IET-KY取得美國政府另一項重要補助。

IET-KY董事長高永中在日前法說會表示，新廠擴建計劃因配合晶片法案與公司策略規劃而進度放緩，未來德州晶片法案412萬美元補助款將用於廠房增建，新廠主要包括磊晶片生產區和機臺硬體設備組建區；目前多種型號MBE機臺銷售報價中，新廠增建工程設計接近完成(包括12個MBE機臺基地)，將於2025年1月破土動工，建廠投入資金將依照德州晶片法案補助按季請款。

展望2025年，IET-KY表示，四大產品線皆有成長動能，磷化銦方面，雷射、調幅器、接受器在光通訊領域中均是不可或缺的產品，近兩年AI浪潮席捲而來，對於傳輸要求的規格提高，公司2024年也配合客戶在磷化銦高速高頻元件量產的規劃與驗證投入研發，今年可望開花結果；砷化鎵產品如面射型雷射(VCSEL)可應用在多個領域上，需求持續增加；氮化鎵在二次生長方面，客戶需求亦與日俱增。銻化鎵在國防方面的訂單也是穩健成長，勝過往年。磊晶業務，加上機臺與硬體構件營收，並佐以德州晶片法案與聯邦晶片法案補助款，公司2025年營運可望拾級而上。