《半導體》聯電攜手Avalanche 推航太用高密度P-SRAM

Avalanche Technology爲次世代垂直式自旋磁性記憶體技術（Perpendicular STT-MRAM）領導者，憑藉多個幾何製程經過驗證的STT-MRAM產品及超過300項專利和應用組合，實現下一代可擴展統一記憶體架構，以應用於工業、物聯網、航太和儲存應用。

Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理Danny Sabour表示，此次推出新產品，真正實現市場對高耐用性、可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼（ECC）或耗損平均技術。

Danny Sabour指出，鑑於現今感測裝置無所不在，且資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要日益升高，將很快啓動進一步提高16Gb單晶片解決方案的開發工作。

聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總洪圭鈞表示，公司憑藉多元晶圓專工技術和卓越製造能力，透過攜手Avalanche Technology投產此獨立記憶體解決方案，有助將堅實且高度可擴展的MRAM解決方案商業化，滿足持續提升的持久性記憶體市場需求，爲一重要里程碑。

Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總懷一鳴表示，公司自2006年起專注開發創新垂直式磁穿隧接面（pMTJ）結構的STT-MRAM技術。透過合作伙伴聯電，使最先進的高密度和高性能STT-MRAM產品得以問世。