長鑫存儲市佔率升 衝擊DRAM價格走勢

圖／本報資料照片

中國大陸實施半導體自主化政策，記憶體指標大廠長鑫存儲市佔率成長快速，市場法人估算，長鑫存儲持續擴產，在成熟產能供給端佔比，將達30％～50％，成爲成熟記憶體市場主要供應商，爲2025年DRAM市場投下變數。

長鑫存儲2019年首度量產10奈米級G1製程，2022年進入G3製程量產，2025年新增產能用於投入G4製程產品，瞄準LPDDR5及DDR5市場，目標產品是伺服器以及手機。

參照前三大原廠技術開發路徑，三星在1a開始採用EUV設備量產DDR5；SK海力士在1a開始採用採用一層EUV曝光，1b開始使用3層EUV曝光；美光則預計在1y首度開始導入EUV製程生產。

長鑫在缺乏EUV輔助的情況下，仍可由目前最先進G4（約當三大廠的1z製程）至少再推進至1a或是1b製程，約1～2代的提升空間。

長鑫在前段製程上，估將落後三大廠約5年，因此，其成長趨動力，主要仰賴國產化與政府補貼。

長鑫2024年第四季季底總產能約21萬片，G3約佔二分之一、G2及以下約佔二分之一，該公司已計劃擴產，預計2025年將擴產約9萬片的G4製程。

其中，新增產能分別爲北京二廠4萬片、合肥二廠5萬片，主要用於生產LPDDR5及DDR5，合計投片佔比約達30％。

業者分析，長鑫G4製程，生產LPDDR5基本版本成本效益尚可，但DDR5成本效益較差。因此，長鑫對LPDDR5市場價格殺傷力，將自2025年下半年發酵，並於2026年上半年達到高峰。

業者推算長鑫未來市佔率，假設三大廠在2025年約使用8％～15％的產能，生產DDR4以下產品，長鑫擴產後，2025年第四季在成熟產能供給端佔比，將會超過50％。

假設三大廠使用30％左右的產能，生產DDR4以下產品，長鑫屆時佔成熟產能供給，也將達30％以上，成爲成熟記憶體市場的主要供應商。

供應鏈也指出，目前長鑫僅供應中國內需市場，良率也未知，長鑫即便良率不足，也能用積極擴產來增加產量，將對DDR4以下記憶體報價，恐形成壓力。