東旭集團申請“一種製備碳化硅外延石墨烯的方法和坩堝及其應用”專利，該方法制備的碳化硅外延石墨烯質量高

金融界2024年9月3日消息，天眼查知識產權信息顯示，東旭集團有限公司申請一項名爲“一種製備碳化硅外延石墨烯的方法和坩堝及其應用“，公開號CN202410528630.X，申請日期爲2024年4月。

專利摘要顯示，本發明提供一種製備碳化硅外延石墨烯的方法和坩堝及其應用，其中製備方法包括：將碳化硅襯底放置在半封閉坩堝腔體結構中，得到坩堝空腔組合體；其中碳化硅襯底具有原子級表面；在坩堝空腔組合體內通入Ar或N2，溫度控制在1250～1400℃，使碳化硅襯底的上表面生長石墨烯，得到碳化硅外延石墨烯；其中，半封閉坩堝腔體結構具有圓柱形的空腔，坩堝空腔底面直徑比碳化硅襯底的直徑大5～10mm；碳化硅襯底放置在半封閉坩堝腔體結構中後，碳化硅襯底上表面到半封閉腔體結構頂部內壁的距離爲0.5～10mm；半封閉坩堝腔體結構的頂部設有連通空腔的通孔，開孔率爲0.5％～10％；開孔率＝通孔橫截面總面積/空腔底面面積。該方法制備得到的碳化硅外延石墨烯厚度均勻，晶疇尺寸大，質量高。

本文源自：金融界

作者：情報員