跟進臺積電英特爾 傳三星擬今年底取得下世代 EUV 設備

三星電子計劃最快在今年底首次取得下世代EUV設備用於華城的研發部門需求。（美聯社）

在英特爾、臺積電（2330）先後對ASML(艾司摩爾)下世代高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）設備的取得拋出看法後，三星電子也計劃最快在今年底首次取得下世代EUV設備用於華城的研發部門需求，較先前4月傳出明年才取得用於研發的計劃略有提前。

EUV下世代設備高數值孔徑（High-NA）EUV EXE:5000一臺報價已達到4億歐元，相較當前EUV設備1.5億歐元而言，造價與成本大幅提高，各大廠何時使用或取得後如何平衡生產與成本都是各界關注焦點。

英特爾率先喊出取得多臺High-NA設備並陸續到貨安裝，英特爾公開提到希望成爲率先採用的廠商，臺積電是率先將EUV導入7奈米商用量產的龍頭廠，該公司計劃今年擁有高數值孔徑EUV工具。

臺積電資深副總暨副共同營運長張曉強先前在臺積電技術論壇提到，臺積電2024年會擁有高數值孔徑EUV工具但還不準備運用新工具來生產，主要使用目的是跟夥伴進行研究。

三星先前尚未High-NA EUV導入公開表態，一度傳出明年纔會取得。不過，對南韓媒體則報導，三星計劃最快在今年年底首次取得，外傳將先用於華城廠區的半導體研究應用。

ASML計劃今年出貨至少5-6臺High-NA EUV設備，外傳英特爾喊出取得大部分並於今年4月喊出首臺設備組裝完成，預計於2027年啓用、率先用於Intel 14A製程。臺積電確保今年至少保有一臺，SK海力士計劃明年導入High-NA EUV EXE:5200版本，三星原先計劃明年取得，目前改爲爭取今年底取得用於在研發部門。

另外，日前由艾司摩爾與imec共同成立於荷蘭費爾德霍溫的High NA EUV微影實驗室在近期啓用後，imec先前也提到，客戶現在可以使用TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機來開發非公開的High-NA EUV應用案例。