《國際產業》華府擴大對陸晶片技術限制 傳三星、SK海力士逃過一劫

美國商務部預計將在本週就出口中國的技術發佈新限制，可能駁回美國供應商向長江存儲和長鑫存儲等中國企業出貨先進記憶體晶片生產設備的申請。

但消息人士表示，美國設備廠要出貨給在中國生產先進記憶體晶片的外國企業所提出的許可申請，將以個案進行審查，這表示美國政府可能同意這些非中國晶片廠獲得先進設備。

知情人士表示：「我們的目標不在於打擊非中國企業」。

白宮和美國商務部拒絕對此消息發表評論。

中國駐華盛頓大使館週四痛批這些傳聞中的規範如同美國展現其「科技霸權」，利用其技術實力阻礙和壓制新興市場和開發中國家的發展。

此舉料將緩解韓國記憶體晶片製造商最大的擔憂，即美國在試圖阻止中國崛起、削弱長江存儲和保護脆弱的美國記憶體晶片製造商之際，韓國廠在中國的製造業務也可能受到波及。

雖然消息指出美國設備廠向外國企業在中國的晶片廠出貨先進設備的申請可望採逐案審查，但這兩家韓國記憶體大廠仍然擔心該逐案審查標準存在相當大的不確定性，不代表一定能獲得放行。

出口管制專家表示，如果美國商務部真的發佈這些規定，就成爲美國的出口管制第一次鎖定在中國生產之非軍事用途記憶體晶片，反映出美國對國家安全的擴大解釋。

美國主要晶片製造設備供應商科林研發（LAM Research Corp）、應材（Applied Materials Inc）和科磊（KLA Corp）可能受到新規定影響。這些公司不願對此發表評論。

南韓三星電子在中國陝西省設有一座生產NAND快閃記意體晶片的工廠。SK海力士則收購了英特爾在大連的NAND晶片製造業務，同時也有一座在中國的DRAM晶片廠。

諮詢公司Yole Intelligence表示，中國廠佔SK海力士約25%及三星約38%的NAND晶片產能，此外，SK海力士約50%的DRAM晶片在中國生產。

●傳聞中的新規定如下：

消息人士透露，這些新限制鎖定的是中國的DRAM和NAND晶片製造商。如果美國供應商出貨的對象是生產18奈米節點以上DRAM晶片、128層以下NAND快閃記憶體晶片或14奈米以上邏輯晶片的中國半導體公司，就不需要向美國商務部申請出貨許可。

如果出貨對象是生產18奈米以下DRAM晶片、128層以上NAND晶片或 14奈米以下邏輯晶片的中國企業，則必須申請出貨許可，且將採取「推定禁止」（presumption of denial）的嚴格審查標準。

如果出貨對象是在中國經營並生產相同級別晶片的非中國在地企業，美國供應商也必須提出許可申請，但申請將採取個案審查。