《科技》SEMI Talks領袖對談 揭示臺灣化合物半導體未來戰力佈局

SEMICON Taiwan 2021國際半導體展於12月28日至30日在臺北南港展覽館一館登場，涵蓋逾2150個展位，其中化合物半導體特展更爲全臺規模最大，攤位數量相較去年成長11%。透過完整展示氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAS)等創新材料應用，SEMICON Taiwan 2021化合物半導體特展爲提供觀展者全方位掌握實現5G、電動車、能源管理等關鍵技術的最佳平臺。

在新興應用科技快速普及的驅動下，功率暨化合物半導體需求蓬勃發展，各國也將其視爲國家戰略重點。自2017年起，SEMI即密切關注到化合物半導體的市場需求，透過成立SEMI功率暨化合物半導體委員會，進一步強化整體產業鏈生態系統、促進合作並且引進優秀技術人才，全方位推動臺灣產業佈局。

SEMI全球行銷長暨臺灣區總裁曹世綸指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在5G通訊、再生能源及電動車等應用的帶動下，近幾年呈現快速擴張，相關投資將在2021年增長約20%至70億美元，創歷史新高，2022年也預計將再增長至約85億美元。在此態勢之下，SEMI也將持續串聯產、官、學、研界，透過建立溝通平臺推動跨區域資源媒合，期盼臺灣繼矽基礎晶圓領先全球后，化合物半導體領域也能再次成爲世界焦點。

聯穎光電技術長暨SEMI Taiwan功率化合物半導體委員會副主席林嘉孚表示，過去幾十年來，矽一直是首選的半導體材料。但隨着新興應用科技對於高效能、低能耗的需求越來越高，碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角。其促成了更高效能、更小巧穩定的半導體元件，從而爲功率轉換和馬達驅動等應用注入新動力，並帶來顯著的性能優勢。在此主流發展趨勢下，相關商機備受期待。

GaN Systems總經理Stephen Coates指出，GaN Systems致力於設計、開發和製造氮化鎵電晶體，並且證明氮化鎵電晶體的高可靠度及高功率密度。 氮化鎵是一種無機物質，正在能源、汽車、5G通信和消費電子等各種依賴電力的行業中實現以前無法想像的系統創新。對於那些準備在技術發展面提升到下一個數位時代的國家，氮化鎵是絕對要走的路。

聯電協理鄭子銘表示，臺灣在化合物半導體人才培育領域因產業界與學術界已建立了良好關係，故相當具有優勢。在技術方面，聯電近年積極投入化合物半導體氮化鎵功率元件、射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及5G射頻元件，全方位鎖定最新市場商機。

漢磊科技行銷業務中心副總經理張載良指出，寬能隙半導體材料是全球未來發展的重要科技之一，漢磊科技看好未來寬能隙半導體市場，積極投入碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料製程技術開發，更具備4吋、6吋碳化矽及6吋氮化鎵技術能量。展望未來，將繼續推動臺灣寬能隙製造市場發展，鞏固如在矽半導體產業的優勢。

臺大電機系教授陳耀銘說道，碳化矽和氮化鎵的耐受電壓與輸出功率不同，因此它們能在不同的場域發揮不同性能。整體來說，碳化矽最重要的應用會是電動車、軌道運輸與電動車充電站；氮化鎵則是消費性電源，其次是電動車與不斷電系統(UPS)等。