力成下半年重啟高資本支出 且循臺積模式擴大日本佈局

力成卡位高頻寬記憶體 ，下半年重啓高資本支出 ，且循臺積模式擴大日本佈局。記者簡永祥／攝影

封測大廠力成（6239）董事長蔡篤恭表示，AI人工智慧在各領域持續擴散，爲追求更具成本效益的高頻寬記憶體（HBM）新的封裝架構，將爲力成開啓全新的成長動能。在看好佈局的面板級扇出型封裝堆疊於載板（Panel level Fan Out on Substrate）技術及矽鑽孔（TSV）技術，將成爲未來HBM主流封裝架構，且力成又比同業早先完成佈局，決定今年下半年起 ，重啓高資本支出，並循臺積電赴日本投資模式，擴大日本先進封裝投資。

蔡篤恭表示，包括力成、日月光、矽品及艾可爾等封裝廠，都具備CoWoS封裝的能力，只是CoWoS的關鍵材料矽中介層（interposer）掌握在臺積電的設計路徑，且過去晶圓廠只做矽中介層不划算，導致只有臺積電能提供CoWoS產能。

他強調，在力成與華邦電協商由華邦電未來提供矽中介層下，雙方決定合攻提供AI晶片產能瓶頸的CoWoS封裝業務。

此外，力成也開發出Panel level Fan Out on Substrate，此技術與CoWoS最大不同點在於不需使用中介層（interposer），由於採用面板尺寸大面積封裝，單位成本效益將會優於CoWoS，目前已有多家業者導入驗證，預料今年會開始小量接單，明年則預期會帶來可觀的成長動能。

除此之外，他也看好矽鑽孔（TSV）未來也會很快全面成本記憶體封裝架構，在封裝價格比覆晶封裝更具誘因下，將快速成爲新一代記憶體和邏輯晶片主流封裝技術，這對力成來看，將會帶來可觀的成長動能。

他並強調爲因應地緣政治風險，力成考慮循臺積電與日本客戶合資方式在日本擴大封裝佈局，切入封測領域會以先進技術如影像感測器、高頻寬記憶體爲主，但合資計劃因還未與客戶談定，暫不透露，但此佈局將會着眼於推升力成未來二到三成業績成長所做的規畫。

力成執行長謝永達表示，公司正與日本客戶合作AI、HPC等產品先進封裝開發案，最快今年底前就會開始貢獻業績。

蔡篤恭指出，力成今年就會開始重新加大資本支出的投資力道，將會投入在新產能及新技術研發。力成去年資本支出大約70億～80億元，預期今年將有望上看100億元，未來將會逐步提升，且可望超越歷年最高峰的170億～180億元。

謝永達表示，雖然力成西安廠已經與美光結束合作，目前初估影響大約30億元營收，不過有信心在記憶體市場持續回溫帶動，加上先進封裝產線有望逐步展現效益情況下，今年前三季營運將可望呈現逐季成長動能，全年業績有望繳出優於去年的成績單。