陸存儲晶片追趕速度快 韓業者驚：快閃記憶體技術只差2年

韓媒提出警告稱，目前中國長江存儲NAND快閃記憶體與韓企的差距已縮短至2年，雙方差距正在快速地消失中。（圖／Shutterstock)

近年來全球記憶體半導體市場的局勢逐漸發生變化，韓國兩大記憶體巨頭三星和SK海力士正面臨來自中國廠商的激烈競爭，感受到更大的競爭壓力，技術差距也在不斷縮小。韓媒指出，目前中國NAND快閃記憶體與韓企的差距已縮短至2年，雙方差距正在快速地消失中。

據《超能網》引述《韓國商業》（Business Korea）報導，韓國存儲晶片業內人士透露，隨着中國加大了對記憶體半導體行業的投入，經過了多年的發展，目前與世界領先企業的NAND快閃記憶體技術差距已縮短到2年左右。不過DRAM仍保持原有的距離，技術差距大概在5年。

報導分析說，其中主要原因在於NAND快閃記憶體技術的壁壘相對低一些，使得追趕的速度更快，而且中國追趕速度不斷加快，因此差距縮小得更爲明顯。在韓國專家看來，這是一個危險的信號，因爲中國企業進步太快，很快就會對韓國存儲晶片業的優勢構成威脅。

報導指出，大陸最大的記憶體半導體企業長江存儲在2022年快閃記憶體峰會（FMS）上，正式發佈了基於晶棧3.0（Xtacking 3.0）架構的第4代3D TLC快閃記憶體晶片，名爲X3-9070。長江存儲也領先於三星和SK海力士，實現了更高層數的NAND快閃記憶體晶片的量產，回擊了外界質疑的聲音。

韓媒分析稱，去年一年裡，中國存儲晶片業者來自中國政府與官方主導投資基金投入近500億人民幣（約合臺幣2145億元），持續且大量的資金投入支援確實能取得效果，一方面是技術的追趕，另一方面是更快的市場滲透。

報導表示，隨着半導體電路小型化逼近極限，中國可能會抓住另一個縮小技術差距的機會，就是先進封裝技術。這種高性能、多晶片的封裝被視爲突破半導體小型化限制的關鍵。目前中國大陸是全球第二大封裝技術市場，有着較爲完善的生態系統，長電科技、通富微電和華天科技都進入了全球10大半導體封裝企業的前10名，而韓國沒有一間公司出現在榜單上。

陸媒《快科技》也指出，前不久美國加州法院判決長江存儲控告美光科技及全資子公司美光消費產品公司侵犯其專利。長江存儲在訴狀中示，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。報導說，這等於是直接展示了中國廠商在NAND快閃記憶體上突飛猛進的進步成果。