美半導體在地化 將蓋2座園區

美商務部長雷蒙多。圖／美聯社

美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）稍早宣佈，美國政府將運用《晶片法案》編列的經費，在2030年前打造至少2座結合生產線、研發實驗室、封測廠及上游供應商的半導體園區。

雷蒙多預定23日在喬治城大學發表演說，屆時將說明國內外半導體業者對《晶片法案》相關補助的詳細申請辦法。她在行前簡報中表示：「我們若在2030年前打造兩座半導體園區，美國將有能力設計並製造全球最先進半導體。」

雷蒙多並未透露上述兩座園區所在位置，但外界推測英特爾、三星電子及臺積電計劃投資的亞利桑那州、俄亥俄州、德州都在候選名單內。

英特爾已宣佈分別在亞利桑那州及俄亥俄州投資200億美元建廠，臺積電也提出價值400億美元的鳳凰城投資計劃，而三星則是在德州投資173億美元。

美國總統拜登在去年8月簽署的《晶片法案》提供390億美元補助，用來鼓勵國內外半導體業者在美投資建廠或推動廠房現代化，另有120億美元支出用來推動半導體研發計劃。

《晶片法案》生效以來有不少人質疑補助分散後，各家業者受惠有限，且美國能否找到足夠技術勞工協助建廠並維持廠房營運還是個問題。雷蒙多對此表示，政府將要求半導體業者與高中及社區大學建教合作，未來幾年可望培養出超過10萬名技術人員。

現任商務部顧問的喬治城大學安全及新興科技中心分析師杭特（Will Hunt）曾在去年報告中表示，《晶片法案》提供的補助足以讓英特爾、三星、臺積電長期投資美國，讓美國晶片製造滿足國內需求直到2027年。

雷蒙多表示《晶片法案》的宗旨不是爲了幫助半導體產業度過週期低谷，也不是爲了讓半導體業者在美國創造更多獲利，而是爲了實現國安目標，因此商務部將依據國安標準來篩選補助對象。