三大最強GaN聯盟出列

繼碳化矽之後，中美晶宣佈私募美國新創氮化鎵元件廠Transphorm，第三代半導體佈局再下一城，國內佈局GaN半導體的聯盟實力愈來愈堅強。(圖/先探投資週刊提供)

中美晶日前宣佈，斥資一五○○萬美元投資美商氮化鎵元件大廠Transphorm（TGAN.US），將助攻Transphorm擴大磊晶供應鏈，這是中美晶集團繼二○一九年由子公司環球晶與GTAT簽訂碳化矽晶球長約、並在去年私募砷化鎵晶圓代工廠宏捷科之後，在第三代半導體的佈局再下一城，也是中美晶補足氮化鎵元件拼圖的關鍵一役，國內GaN聯盟版圖亦逐漸完整，將正式進入國際市場打羣架。

臺積電、中美晶各擁利基

受制於碳化矽（SiC）基板的短缺，臺廠在碳化矽半導體的發展一直仍無法進入規模量產的大鳴大放階段，但在氮化鎵（GaN）領域，隨着技術開發成熟、消費性快充等終端需求浮現，納微半導體（Navitas）已積極擴大在臺積電代工並量產GaN IC元件，中美晶注資全球新創GaN元件公司Transphorm，除了將助其擴大磊晶產線建置外，並將代理Transphorm在GaN全產品線的銷售，臺積電、中美晶對GaN元件用實際行動力拱，逐漸確立臺廠在第三代GaN半導體領域站穩腳跟。

衆所周知，全球碳化矽（SiC）元件的主要供應商，爲意法半導體（ST）、Wolfspeed（前身爲Cree）、羅姆（Rohm）、英飛凌（Infineon）、安森美（On Semi）及三菱（Mitsubishi Electric）等IDM大廠所把持，臺廠在少了穩定的SiC基板供應下，業者坦言，臺廠要快速追上國際IDM大廠，仍有相當的難度，即便是漢磊（3707）已取得IDM大廠的釋單，仍面臨SiC基板取得受限及其他IDM與晶圓代工廠的積極佈局威脅。

然不同於SiC，全球GaN元件領域的主要供應商，除了PI（Power Integrations）與英飛凌非新創公司外，包括納微半導體（NVTS.US）、EPC（Efficient Power Conversion）、GaN Systems與Transphorm（TGAN.US）都是新創公司，且都是在GaN元件領域擁有一定設計技術的廠家，在終端應用逐漸成熟下，因應市場的大量需求成長，與國內半導體廠家加速結盟的動作也愈來愈大。據統計，日前在美國掛牌的納微半導體，以其GaN Fast IC設計方案，搭配與臺積電的晶圓代工產能合作，今年即以二九％的出貨量市佔率超越Power Integration，拿下全球GaN功率元件銷售第一名，目前並與全球手機OEM及PC設備製造商展開合作，客戶包括戴爾、聯想、LG、小米、Oppo等，下一步，納微將鎖定資料中心爲切入點，預計明年將會有新的產品，納微半導體來勢洶洶，讓在資料伺服器中心領域已有一定口碑的Transphorm，不得不加速擴大聯盟陣容。（全文未完）

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