三星考慮將MUF技術應用於服務器DRAM內存
《科創板日報》4日訊,三星正在考慮在其下一代DRAM中應用模壓填充(MUF)技術。三星最近測試了一種用於3D堆棧 (3DS) 內存的MR MUF工藝,與TC NCF相其吞吐量有所提升,但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試,該公司得出結論,MUF不適用於高帶寬內存 (HBM),但非常適合3DS RDIMM,而目前3DS RDIMM使用硅通孔 (TSV) 技術製造,主要用於服務器。 (TheElec)
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