三星又嗆聲！稱GAA技術領先臺積電 現實數據大打臉

三星電子稱GAA技術領先主要競爭對手臺積電。(圖/美聯社)

南韓科技大廠三星電子不斷聲稱要在20230年非記憶體的全球系統半導體龍頭，並打算在下一代製程節點3奈米制程採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA），三星在25日線上召開的三星科技暨事業論壇(Samsung Tech & Career Forum)指出，三星GAA技術開發進度不會輸給主要競爭對手、也就是全球晶圓代工龍頭臺積電。

據《Business Korea》報導，三星「裝置解決方案」(Device Solution DS)事業部科技長Jeong Eun-seung在論壇上提及，三星2017年纔將晶圓代工業務獨立出來，並以該公司在記憶體市業成長性來看，三星表示，從多重閘道 3D 電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)發展至4D的GAA技術，領先主要競爭對手臺積電，預料晶圓代工事業發展遲早會超越臺積電。Jeong Eun-seung舉例，三星曾經開發出的採用FinFET架構的14MHz產品，也領先過臺積電。

根據三星2019年與客戶測試的3奈米制程產品，GAA技術的晶片面積縮減45%，效能增加50%。三星今年3月於IEEE 國際積體電路會議公佈3奈米制程GAA技術細節。日前也宣佈，三星3奈米制程正式流片 (Tape Out)，主要是與新思科技 (Synopsys) 合作，加速爲 GAA技術提供最佳化解決方案，預料將運用在在高效能運算 (HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。

三星7月進一步透露，與7奈米LPP製程相比，3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%，或是在同樣頻率下降低功耗50%，電晶體密度提升80%。

事實上，三星雖然多次放話將超越臺積電，但《BusinessKorea》就曾報導，臺積電、三星、IBM以及格羅方德，申請 GAA 製程專利數量分別佔比31.4%、20.6%、10.2%、5.5%，顯示臺積電就算GAA技術較就算直至2奈米制程才導入，仍在研發競爭力上超過競爭對手。