廈門市三安集成電路申請HEMT晶體管及其製作方法、射頻模組專利，提高氮化鎵射頻器件的耐壓能力和功率等級

金融界2025年1月29日消息，國家知識產權局信息顯示，廈門市三安集成電路有限公司申請一項名爲“一種HEMT晶體管及其製作方法、射頻模組”的專利，公開號CN 119364799 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種HEMT晶體管，包括襯底、半導體外延層、設置在半導體外延層的源極、漏極和柵極，源極和漏極相對設置，柵極設置在源極和漏極之間，以及第一場板結構、第一鈍化層，第一鈍化層覆蓋於柵極上方，第一場板結構設置在第一鈍化層上，第一場板結構設置於柵極與漏極之間，第一場板結構靠近漏極設置。本發明提供的一種HEMT晶體管，在柵極和漏極之間設置第一場板結構，且第一場板結構靠近漏極設置，如此能夠將集中在漏極歐姆區域邊界位置的電場進行均勻調製，提高了氮化鎵射頻器件的耐壓能力和功率等級。

天眼查資料顯示，廈門市三安集成電路有限公司，成立於2014年，位於廈門市，是一家以從事軟件和信息技術服務業爲主的企業。企業註冊資本150000萬人民幣，實繳資本150000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，廈門市三安集成電路有限公司共對外投資了3家企業，參與招投標項目83次，專利信息324條，此外企業還擁有行政許可105個。

本文源自：金融界

作者：情報員