生成式AI應用擴大 長鑫存儲產能直追美光

且隨着生成式AI技術在電動車、物聯網等領域的應用擴大，中國大陸記憶體企業有望在中低階產品市場，建立穩固地位。長鑫存儲在擴產之後，在2024年佔全球記憶體產能將達13％、出貨量6％，以及營收3.7％。儘管其技術落後、良率較低，導致產出與營收低於產能，但隨着技術改進，這些差距將逐漸縮小。

長鑫存儲目前的月產能爲23萬片晶圓，預計到2025年將提升至33萬片，接近美國第三大DRAM製造商美光（Micron）。

長鑫存儲2024年技術相較於競爭對手落後三代，但其計劃於2025年量產等同於競爭對手「1z」製程的「Gen 4」技術，並開始大規模生產DDR5記憶體。然而，由於DDR5的良率尚未突破50％，能否如期推向市場仍有待觀察。

長鑫存儲正積極研究高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）與3D DRAM技術，以進一步提升功耗表現與速度，這些突破，將成爲未來市場競爭的關鍵。

美國針對中國大陸記憶體產業的設備出口限制雖然帶來挑戰，但也推動中國大陸在設備與材料本地化上的努力。

長鑫存儲已購置2025年擴產所需的設備，即便出口限制加劇，其產能計劃仍可順利推進。但若進一步擴產，從2026年起將需依賴國產設備，而技術突破成爲關鍵挑戰。

中國大陸政府補貼記憶體產業，預計2025年將從以行動市場爲主的補貼，擴展至PC和伺服器DRAM領域。然而，若美國對中國大陸製造的關稅政策加強，則可能削弱補貼效益。