蘇州華太申請一種 GaN HEMT 器件專利，解決傳統器件接地工藝複雜的問題

金融界 2025 年 1 月 29 日消息，國家知識產權局信息顯示，蘇州華太電子技術股份有限公司申請一項名爲“一種 GaN HEMT 器件”的專利，公開號 CN 119364801 A，申請日期爲 2024 年 12 月。

專利摘要顯示，本申請提供了一種 GaN HEMT 器件，包括：低阻的襯底；接地的背面接地金屬，形成在所述襯底的背側；P 型的外延層，形成在所述襯底之上；‌GaN HEMT 結構層，所述 GaN HEMT 結構層包括有源區和高阻區；深孔，自所述高阻區的上表面向下形成，且所述深孔的底端進入到所述襯底內；填充形成在所述深孔內的金屬的第一連接區，所述第一連接區的底端進入到所述襯底內，所述第一連接區和所述襯底之間的接觸爲歐姆接觸。本申請解決了傳統的 GaN on SiC HEMT 器件的結構導致接地工藝複雜的技術問題。

天眼查資料顯示，蘇州華太電子技術股份有限公司，成立於2010年，位於蘇州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本38473.6371萬人民幣，實繳資本1888.904萬人民幣。通過天眼查大數據分析，蘇州華太電子技術股份有限公司共對外投資了11家企業，參與招投標項目19次，知識產權方面有商標信息47條，專利信息440條，此外企業還擁有行政許可10個。

本文源自：金融界

作者：情報員