臺積電2023年技術論壇登場 揭示全新技術發展

臺積電北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行，共計超過1,600位客戶及合作伙伴報名參與，爲接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕。而臺積電在北美技術論壇亦設置創新專區，展示18家新興客戶令人期待的創新技術。

臺積電總裁魏哲家表示，客戶從未停止尋找新方法，以利用晶片的力量爲世界帶來令人驚歎的創新，並創造更美好的未來。憑藉着相同的精神，臺積電也持續成長進步，加強並推進製程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶在未來持續釋放更多的創新。

隨着3奈米N3製程已進入量產，強化版N3E製程預計將於2023年量產，臺積電推出更多3奈米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求。包括N3P製程預計於2024年下半年進入量產，相較於N3E能在在相同漏電下速度增快5％，在相同速度下功耗降低5％～10％，晶片密度增加4％。

N3X製程着重於效能與最大時脈頻率以支援HPC運算應用，相較於N3P，在驅動電壓1.2伏特下速度增快5％，並擁有相同的晶片密度提升幅度，預計於2025年進入量產。N3AE將提供以N3E爲基礎的汽車製程設計套件（PDK），預計於2023年推出，讓客戶能夠提早採用3奈米技術來設計汽車應用產品，以便於2025年及時採用屆時已全面通過汽車製程驗證的N3A製程。

臺積電亦宣佈2奈米技術開發進展良好，採用奈米片（nanosheet）電晶體架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。相較於N3E製程，在相同功耗下速度最快將可增加至15％，在相同速度下功耗最多可降低30％，同時晶片密度增加大於15％。

臺積電也針對CMOS射頻技術發表最新產能並推進到極限，臺積電在2021年推出N6RF射頻製程技術後，進一步開發4奈米N4PRF製程，此爲業界最先進的CMOS射頻技術，以支援WiFi 7射頻系統單晶片等數位密集型的射頻應用，與上代製程相較邏輯密度增加77％，且在相同速度下功耗降低45％。