臺積電2nm工藝將繼續漲價：每片晶圓超3萬美元 爲4/5nm兩倍

財聯社10月5日電，據報道，臺積電在2nm製程節點上取得了重大突破，將首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術。N2工藝還結合了NanoFlex技術，爲芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較於當前的N3E工藝，N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升15%，這標誌着臺積電在半導體技術領域的又一次飛躍。據報道，臺積電每片300mm的2nm晶圓的價格可能超過3萬美元，高於之前預期的2.5萬美元。相比之下，目前3nm晶圓的價格大概在1.85萬至2萬美元，而4/5nm晶圓的價格在1.5到1.6萬美元之間。