臺積電大舉投資之際 三星據悉將砍掉代工部門一半支出！

財聯社1月24日訊（編輯 馬蘭）高端芯片代工廠的競爭正趨於白熱化，這促使代工廠增加資本支出，以滿足客戶對最新節點的生產需求。然而，在這一大勢之下，三星據稱將削減其代工部門的支出。

據媒體引述消息人士的話稱，三星代工部門將在新的一年中將資本支出削減一半以上，僅撥款5萬億韓元（約35億美元），而去年這一數字爲10萬億韓元。過去近10年來，三星每年都在芯片代工和內存生產商投入數十億美元。

這一策略的變更可能反映出三星在客戶需求上面臨麻煩，以及公司希望提高效率的意願。三星據悉在先進製造工藝上一直延期且良品率頻頻低於預期，導致其很難吸引到大型客戶。

消息還稱，三星位於韓國平澤工廠，負責生產4-7納米級芯片的生產線的利用率下降了30%以上。

與此同時，臺積電在上週表示，今年將大幅增加資本支出，爲明年生產2納米級芯片做準備。英特爾也表示將積極參與2納米級芯片的競爭，預計將小幅增加其資本支出。

攻守分化

三星可能將把2025年的重點放在韓國華城工廠的S3和平澤工廠的P2設施之上。S3中3納米芯片的產線可能部分升級爲2納米，這幾乎不需要添置大量的全新生產設備就可以實現。

而到2025年，P2預計將安裝一條1.4納米芯片的測試線，月產能預估在2000-3000片晶圓。此外，三星還將對其他地區的工廠進行小規模投資，如其位於美國的泰勒工廠，計劃是升級現有晶圓廠，而不是擴大產能。

這種保守策略與臺積電的瘋狂擴張形成鮮明對比。臺積電計劃在2025年投資380億-420億美元的資金，較2024年的297.6億美元顯著增加。其中70%的投資將流入先進工藝，10-20%則被分配給特殊技術，剩下的部分投向先進封裝、測試、掩模製造和其他領域。

這也與臺積電在2025年下半年量產2納米芯片的規劃相符。臺積電聲稱，計劃中的2納米試生產芯片數量高於此前3納米和4納米芯片的試生產數量，這代表着該公司將需要更多的2納米產能。

英特爾則也計劃在今年晚些時候提高其18A製造工藝的芯片生產數量，同時爲下一代節點進行準備。業內預計，該公司今年的資本支出將從2024年的110億-130億提高至120億-140億美元。