新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄

財聯社7月18日電，據美國趣味科學網站16日報道，來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用名爲三元石英的晶體材料，成功研製出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米，約爲人頭髮絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創下新紀錄，約爲傳統半導體的7倍。這一成果有助科學家研製新型高效電子設備。相關論文發表於《今日材料物理學》雜誌。