英飛凌領先全球 率先開發12吋氮化鎵功率半導體製程技術

英飛凌 CEO Jochen Hanebeck 手持全球首批12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓，該晶圓是在現有的大批量且可擴展的生產環境中所製造。圖／英飛凌提供

英飛凌今天宣佈，已成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術，成爲全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓不僅更需要技術的領先性，也因晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了2.3倍，效率顯著提高。

基於GaN的功率半導體正在工業、汽車、消費、運算和通訊應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。先進的GaN製程能夠提高元件性能，爲終端客戶的應用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總體成本。此外，憑藉着可擴展性，12吋製程在客戶供貨方面具有極高的穩定性。

英飛凌執行長Jochen Hanebeck表示，這項重大成功是英飛凌的創新實力和全球團隊努力工作的結果，進一步展現了我們在GaN和電源系統領域創新領導者的地位。這一技術突破將推動產業變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems公司近一年後，我們再次展現了在快速增長的GaN市場成爲領導者的決心。作爲電源系統領域的領導者，英飛凌充分掌握了全部三種相關材料：矽、碳化矽和氮化鎵。

英飛凌已經成功在其奧地利菲拉赫（Villach） 功率晶圓廠中，利用現有12吋矽生產設備的整合試產線，製造出 12吋 GaN 晶圓。英飛凌正透過現有的12吋矽基以及8吋GaN 的成熟產能發揮其優勢，同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑藉12吋 GaN製程技術，英飛凌將推動GaN市場的不斷增長。據估計，到2030年末，GaN市場規模將達到數十億美元。

這一開創性的技術成就彰顯了英飛凌在全球電源系統和物聯網半導體領域的領導者地位。英飛凌透過佈局12吋 GaN製程技術，打造更具成本效益價值，能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以強化現有的，並實現新的解決方案及應用領域。英飛凌將在2024年11月舉行的慕尼黑電子展（electronica）上向大衆展示首批12吋 GaN晶圓。

由於GaN和矽的製程十分相似，因此12吋 GaN技術的一大優勢是可以利用現有的 12吋矽製造設備。英飛凌現有的大批量12吋矽生產線非常適合用於試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，也有效地利用資本。12吋GaN的全規模化生產將有助於實現GaN 與矽的成本在同一RDS(on) 級別能夠接近，這意味着同級矽和GaN產品的成本將能夠持平。

英飛凌強調，12吋 GaN製程技術是公司戰略創新領導地位的又一里程碑，也支援英飛凌推動低碳化和數位化的企業使命。

12吋晶圓因直徑擴大，每片晶圓上的晶片數量較8吋晶圓增加了2.3倍，生產效率顯著提高。圖／英飛凌提供