中國半導體技術狂追猛進 美方加深技術管制或破壞供應鏈平衡

中國半導體技術狂追猛進，日本專家認爲，美方加深技術管制或破壞全球半導體供應鏈平衡。（圖／Shutterstock)

中國大陸的半導體產業在尖端領域提升實力，2月舉行的ISSCC國際學會上的入選論文大幅上升至近3成，首次超越美韓躍居首位。日媒分析稱，隨着中國半導體技術迅猛推進，加深了美國的危機感，將使美中對立加劇，正在擺脫混亂的全球半導體供應鏈可能再次加深裂痕。

據《日經中文網》報導，在2月舉行被譽爲「半導體奧林匹克」的國際固態電路研討會（ISSCC）上，入選的中國半導體技術論文佔有的份額達到29.8%，與2022年的14.5%相比大幅上升，也超越美韓而躍居首位。在影響中長期技術開發能力的基礎研究領域上，中國半導體的實力也在穩步提高。

報導說，從材料到製造設備，半導體均需要高度的產業積累，中國大陸在製造和設計方面起步晚，但採用各領域龍頭企業技術的陸企持續增加。其中最具代表性案例是用於長期存儲的NAND記憶卡領域，原先由韓國三星電子、日本的鎧俠(KIOXIA)和美國美光科技等領先，但中國的長江存儲科技（YMTC）在技術方面已迅速追趕上來。據加拿大調查公司TechInsights在11月的報告中表示，「作爲200層以上的產品，我們確認到第一個生產的是長江存儲」。雖然被認爲存在盈利性等問題，但在技術層面，長儲已跟上領先陣營。

在承擔高速運算處理的邏輯晶片領域與在人工智慧等不可或缺的GPU（圖形處理器）領域，大陸壁仞科技（BIRENTECH）8月推出新產品，已具備與美國英偉達A100相比超過2倍速度的性能。

報導認爲，在晶圓代工方面，大陸中芯國際（SMIC）採用7nm技術的產品已獲得確認，這已追趕至最尖端量產產品3nm落後2代的地步。整體而言，面對從研究開發到電路設計、製造能力，在半導體尖端技術上開始躍進的中國大陸，美國的危機意識正在快速提高。

從去年開始，美國將技術世代14～16nm以下的邏輯晶片、層數128層以上的NAND記憶卡等、製造尖端半導體所需的設備列爲出口限制對象，美國籍技術人員在當地參與晶片製造也被禁止，支撐中國半導體企業的技術人員也已撤離。半導體電路設計不可或缺的EDA軟體也列入管制。業內人士表示，如果中國企業無法利用使用這些設備與工具，「將在尖端領域落後近10年」。而相關的限制也擴大到日本荷蘭企業，美國已分別與他們達成對中技術管制協議。

2022年10月以後，美國企業限制對中國大陸出口和撤走美國籍技術人員，致使大陸尖端半導體企業的運作陷入停滯。日本半導體制造設備協會（SEAJ）的負責人表示，2023年1月以後對中國出口顯著減少，目前仍看不到對華管制的妥協點。

此外，報導指出，面對美國政府的廣泛的半導體管制，美國半導體產業協會（SIA）表示擔憂，業界也要求縮小管制的範圍，但是至今仍看不到美國放寬對華管制的跡象。日本綜研的主任研究員野木森稔認爲：「與川普政權時期相比，（對華管制）明顯加強。如果邁向終結的談判進展不順利，中美對立有可能迅速加深」。

報導分析稱，中美對立激化蘊含半導體供應鏈不穩定的風險，實際上世界對中國大陸半導體產業的依存度不低，如果是非尖端產品，中國的晶片製造能力被認爲掌握近2成份額。在汽車、家電和工業設備等廣泛產品使用的晶片領域，中國則是不可或缺的供應商。如果美中對立激化，有可能波及成熟產品的領域，因新冠疫情而產生混亂的半導體供應鏈將會處於危險的平衡之上。