《專訪》泛銓柳紀綸：超前佈局未來3到10年材料分析技術(4-2)

答：好的材料分析公司不僅要有領先的技術能力，最重要的是要能持續研發出有絕對競爭優勢的技術；泛銓長期以來透過與國外研發平臺、學術研究單位聯繫互動的機會，做分析技術研發方向的判斷，超前佈局半導體元件未來3到10年的發展路徑所需的驗證分析技術。

例如：GAA結構元件，我們在2019年就已經完成相關的分析技術準備，在我們的大客戶2022年向我們提出分析需求時，我們已經準備好完整的分析技術與產能，當時客戶對於我們的GAA分析服務十分滿意。最近的例子是，在今年初，光阻液廠家在美國的SPIE會議報告High NA EUV光阻的研究進展，報告中使用的高解析度TEM 照片就是多年來與泛銓合作的成果。經由提早與全球最領先的技術平臺合作，我們早已參與下一世代High NA EUV曝光機使用MOR(金屬層氧化物)EUV光阻的研發，建立相關分析設備與工法。

目前泛銓在材料分析的技術優勢，包含低溫原子層鍍膜、導電膠與原子層導電膜，這幾項是屬於有絕對競爭優勢的技術，用來解決EUV光阻與LK材料的分析難處；而全新結構的2nm的GAA樣品，則需要超薄試片製備與自動量測等分析技術，這些技術都是客戶依賴泛銓的特殊工法技術，且泛銓早已建立完整的專利保護。

問：隨着半導體技術製程推進，材料分析有那些新挑戰？泛銓如何因應？

答：半導體產業持續追求PPAC的提升；新的製程相對於前一代的製程，在效能、功耗、面積、成本要有一定的優勢，這樣才能算是新的製程節點，而要達到這些好處，要採用新的設備、新的材料跟新的製程參數來達成。28奈米以前使用傳統平面MOSFET，到16奈米之後採用MOSFET，2奈米採用GAA結構，除了尺寸縮小、堆疊結構不同以外，這些電晶體用的材料，以及他們彼此之間互連的線路，也逐漸採用更新的導體與絕緣層材料。在每一個世代節點的製程開發時，被要求去分析這些不同的新材料，以及越來越小的複雜結構，對於材料分析公司來說，就是一個新的機會以及挑戰。舉例來說，在7奈米之後，EUV一次曝光取代DUV多重曝光，有諸多好處，所以越來越多EUV曝光被應用在更新的製程節點上。然而EUV光阻天性鬆軟，容易受到離子、電子損傷而形變甚至坍塌。

進行TEM觀察時，就需要泛銓獨特的低溫ALD形成保護膜來保護，在分析的時候能夠不變形，能夠維持原來的樣貌。另外，爲了降低後段金屬繞線的RC delay，最先進的半導體制程，採用越來越低K值的Low K材料來做絕緣層，也因爲這樣Low K材料內充滿空隙，在離子束與電子束進行樣品切割及觀察時，會造成材料的高度減少，這樣的人爲誤差，會造成製程研發人員的誤判。

泛銓的低溫ALD、導電膠、原子層導電膜的技術專利可以克服這樣的人爲誤差，真實的呈現樣品原來的高度，讓客戶可以看到真實的情況，而不會誤導他走錯方向。半導體制程未來還是會持續的去追求PPA的提升，一樣會應用到新的材料跟越來越細微的結構；對泛銓來說，這個挑戰是持續下去的，也會持續克服這些材料分析的挑戰，持續在先進製程研發之中扮演領航者的角色。(4-2)