《半導體》DRAM跌幅收斂 華邦電獲外資捧上月

外資連3日買超，華邦電週四收紅，站穩29元關卡、月線，持續挑戰前高29.7元。

華邦電今年第二季受到PC急單逐月增溫，相較於首季低點約有20~30%增幅，雖然下游客戶庫存逐漸恢復正常，但有部分長短料調節，華邦電今年第二季營收爲188.11億元，季增7.39%、年減29.40%；若扣除子公司新唐(4919)，記憶體本業營收約達98.58億元，季增15.16%，符合內部預期。產能利用率的部分，因應需求回升，中科廠第二季稼動率已回到70-80%，公司期望今年第三季稼動率站穩80%。

隨終端客戶第三季進入傳統備貨需求，各類應用市場將可望較第二季進一步回溫，除PC帶來庫存回補的動能，近期TV面板報價回升，顯示驅動IC(DDI)需求漸熱，帶動記憶體搭載量增加。網通產品雖然上半年需求較低迷，但也預估在今年第四季庫存回補需求發酵，出貨動能有望延續成長。

價格方面，根據TrendForce，目前觀察Consumer DRAM交易仍冷清，同時SK Hynix延長無錫廠DDR3及DDR4 4Gb供應，產能將陸續開出；華邦電也進入量產階段，後續投片將逐季增加，故Consumer DRAM市場仍供過於求。不過，由於原廠已陸續減產，實際效應會發生在今年第三季，加上原廠虧損嚴重，此今年第三季將收斂Consumer DRAM均價跌幅至0~5%。

華邦電2023年資本支出預估爲121億元，年減70.34%，大部分用於高雄廠建廠及提升製程品質、新制程研發等支出。折舊費用部份，臺中廠因爲折舊到期，但高雄新廠產能開出，一增一減下，2023年折舊費用預估年增加10%。華邦電規畫，高雄路竹廠20nm產品可望今年第四季量產，預期2023年底到明年第一季時，高雄廠月產能可達14K片。

雖然景氣不佳，華邦電持續計劃往更高階製程轉進，且每一個產品線要在一線客戶的滲透率拉高，有助產品單價以及獲利表現。DRAM產品部份，25S nm技術爲2023年的重點，Flash則是轉爲46nm，持續優化產品組合與客戶組成，提升毛利率。長期來看，穿載裝置、網通 WiFi6/7、物聯網、車用、遠端應用、工業加速數位轉型及美國啓動基建，都將搭載更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各記憶體廠減產下，報價都尚未止穩，價格築底時間較預期長，短期虧損壓力仍大。