北京狂砸43兆造陸晶片原子彈 第三代半導體威力有多大？

第三代半導體發展將成爲北京突破美方封鎖的出路之一？(圖/達志影像)

陸美科技產業競爭愈發激烈，全球出現2條科技產業鏈恐怕成爲現實，先前消息傳出，北京當局將在10月提出的「十四五計劃」，於預計在相關技術領域投注10兆元人民幣(約43兆元新臺幣)，發展第三代半導體產業，並稱其計劃等同當年製造原子彈的高度優先性。然而，爲何大陸想要加快第三代半導體發展進程，這可能與大陸進行的新基建項目有關。

瑞展產經研究董事長陳忠瑞先前在《工商時報》專欄撰文指出，陸美科技對抗，美國專攻大陸痛點，也就是5G通訊以及半導體，這是高科技產業發展的重要關鍵，原本的5G技術領導廠商華爲與旗下海思半導體就成爲封殺首要目標，接下來可能就是大陸晶圓代工龍頭中芯國際，更有人戲稱，再打下去，可能從CPU回到算盤時代，從飛彈回到石器時代。

就在大陸宣佈要砸10兆元人民幣發展第三代半導體產業之後，外媒指出，中芯國際能遭到美國商務部列入實體清單，這可能導致中芯國際的晶片生產業務受到嚴重衝擊，甚至在缺少美國企業提供的半導體生產設備，陷入營運危機。華爲禁令在9月15日正式生效，包括三星、高通、SK 海力士、美光等半導體廠商都向美方提出出貨許可申請，中芯國際也在15日稍晚傳出，也提出出貨許可申請。

至於下一個可能遭到美方制裁的中芯國際，在大陸市場本來就處於龍頭地位，若對中芯國際直接封殺半導體生產設備，將對大陸半導體產業產生重大影響。

回到北京當局想大力發展的第三代半導體，第一代半導體材料以矽（Si），與第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化銦(InP) 等化合物爲代表，第三代半導體進入氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬頻化合物爲材料。

面對氮化鎵應用5G世代的基地臺、太陽能逆變器與電動車零組件，適合製作在高溫、高頻、功大率與抗輻射元件，發展5G通訊、工業用電、電動車以及電源管理等領域都有相當潛力，這也符合大陸新基建，特別是在5G建設與應用，若能大量投入研發並超越其他國家在第三代半導體發展進程，仍有機會在美國封殺下，掌握科技產業發展領先地位。

全球晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家也看好氮化鎵應用前景，並在今年股東會上提到，臺積電目前小量生產6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵)晶圓代工服務，預計，650 伏特和 100 伏特氮化鎵積體電路技術平臺將在今年開發完成。至於今年2月宣佈與意法半導體合作，將採用臺積電氮化鎵製程技術製造產品，攜手搶攻電動車市場。