不甩日半導出口禁令 陸首臺國產28nm浸潤式光刻機年底交付

大陸半導體界最近傳出消息稱，上海微電子預計在2023年底能將交付首臺國產28奈米浸潤式光刻機。圖爲上海微電子製造的90nm光刻機。（圖／上海微電子）

繼美國與荷蘭之後，日本於7月23日實施限制半導體制造設備出口新規正式生效，這對中國半導體產業最尖端的晶片製造領域帶來巨大壓力。陸媒指出，雖然中國將因此而增加高端光刻機國產化的難度，但近日半導體界傳出消息稱，上海微電子預計在2023年底能將交付首臺國產28奈米浸潤式光刻機。

據《證券日報》，光刻機是半導體工業最重要的設備之一，決定着晶片的工藝水準和性能，是晶片製造中的關鍵設備，也是半導體產業核心中的核心。但是目前全球光刻機市場幾乎被荷蘭的艾斯麥(ASML)、日本的佳能和尼康壟斷，其中ASML更是獨佔高端極紫外光刻機(EUV)的市場份額。

報導說，EUV光刻機有超過45萬個零件，零件數量是一輛F1賽車的20倍以上，製造難度超乎想像。即便是處於世界EUV光刻機制造壟斷地位的ASML，大約也只生產了其中的15%，另外85%的零件需要從全球的供應鏈整合而來。因此，中國推進光刻機關鍵技術研發以提升半導體設備國產化，是當下乃至未來相當長一段時間內，既重要緊迫，同時又有很高難度的攻堅任務。

報導指出，近日有消息稱，上海微電子正極力研發28奈米浸潤式DUV光刻機，預計在2023年底將國產第一臺SSA/800-10W光刻機設備交付市場。而去年底官方公佈華爲一項名爲「反射鏡、光刻裝置及其控制方法」(CN115343915A)的新專利，未來能在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。另外，華中科技大學研製的OPC系統、哈爾濱工業大學研製的鐳射干涉系統等，也各自有所突破。將加快推進14 奈米、7奈米甚至更低節點的光刻機研發工作。

大陸目前可量產90奈米以上的光刻機，與國際先進水準仍有差距，但也能滿足國內市場部分需要。這顯示中國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備，有望逐步縮小與國際先進水準的差距。不過，光刻機涉及光學、精密機械、材料、控制等多領域複雜技術，關鍵技術研發具有超高難度，僅有政策和資金支援還遠遠不夠，還需要包括技術、人才、資料等各種資源的高效組合。

報導說，光刻機是半導體產業「王冠上的明珠」，推進其關鍵技術研發，提升半導體設備國產化率，是中國半導體產業發展的必由之路，道路雖遠，只要持續前進就會到達。