豪威科技申請圖像傳感器及其形成方法專利，有效防止相鄰像素單元之間的電學和光學串擾

金融界2024年10月31日消息，國家知識產權局信息顯示，豪威科技（上海）有限公司申請一項名爲“圖像傳感器及其形成方法”的專利，公開號 CN 118841424 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本發明提供一種圖像傳感器及其形成方法，包括：提供像素晶圓，在襯底中形成隔離單元，深溝槽中填充第一氧化層，且淺溝槽中填充第二多晶硅層；或者，深溝槽中填充第一多晶硅層，且淺溝槽中填充第二氧化層；形成深溝槽後的像素晶圓在高溫下退火；將像素晶圓與邏輯晶圓鍵合；減薄後去除位於深溝槽中的填充物；高K介質層填充深溝槽，形成深溝槽隔離。前段工藝(鍵合前)將像素晶圓在高溫下退火，修復刻蝕損傷，減少白像素。高K介質層鍵合後形成，避免被前段工藝高溫損傷。高K介質層與襯底折射率相差大，深溝槽隔離能在相鄰像素單元之間起到很好的光學和電學隔離作用，有效防止相鄰像素單元之間的電學和光學串擾，提高了滿阱容量。

本文源自：金融界

作者：情報員