中芯國際申請光電探測器及其形成方法專利，提高光電探測器的性能

金融界2025年1月23日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司申請一項名爲“光電探測器及其形成方法”的專利，公開號 CN 119277848 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，一種光電探測器及其形成方法，光電探測器包括：基底；光吸收層，位於基底上；應力層，位於光吸收層上，且至少覆蓋部分的光吸收層，用於向光吸收層提供應力。本發明包括位於光吸收層上的應力層，應力層至少覆蓋部分的光吸收層，用於向光吸收層提供應力，使得光吸收層內部的原子與原子間的距離發生了變化，從而使得光吸收層的能帶發生偏轉，亦使得光吸收層的間接帶隙向價帶的頂部偏移，即光吸收層的能帶間隙等效減少，進而使得當光子具體較大的波長時，即光子能量較小時，仍然能夠將電子從價帶激發至導帶，相應提高了光吸收層的響應度，提高了光電探測器的性能。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元，實繳資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目119次，知識產權方面有商標信息146條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可429個。

本文源自：金融界

作者：情報員