臺積電申請集成電路芯片及其形成方法專利，有助於形成集成電路芯片

金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知識產權信息顯示，臺灣積體電路製造股份有限公司申請一項名爲“集成電路芯片及其形成方法“，公開號 CN202410497512.7，申請日期爲 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，一些實施例是有關於一種形成集成電路芯片的方法，包括：在襯底上方形成第一導線層級；在第一導線層級上方沉積刻蝕停止層；對刻蝕停止層進行刻蝕，以在第一導線層級上方形成開口；在刻蝕停止層上方沉積阻障層，其中阻障層延伸進入開口；在阻障層上方與開口中沉積第一導體層；平坦化第一導體層，以使第一導體層的頂面被平坦化，其中平坦化停止於暴露出阻障層之前；在第一導體層上方沉積資料儲存層與第二導體層；以及圖案化阻障層、第一導體層、資料儲存層與第二導體層，以在開口處形成內存胞元。

本文源自：金融界

作者：情報員