力成華邦電結盟 攻先進封裝

力成董事長蔡篤恭日前表示，合作案最快在明年第四季提供方案。圖／本報資料照片

力成與華邦簽訂合作開發先進封裝業務重點

封測大廠力成科技表示，因應目前市場對半導體先進封裝業務的需求，力成日前已與華邦電子簽訂合作開發2.5D（Chip on Wafer on Substrate）/3D先進封裝業務之合作意向書，決定共同攜手進軍先進封裝業務，以滿足客戶及市場需求，力成董事長蔡篤恭日前也表示，開發案最快將在2024年第四季提供先進封裝方案，昨日則敲定對象與合作內容。

力成表示，此次業務開發案的合作方式，將採由力成提供所需之2.5D及3D先進封裝服務，包括但不限於Chip on Wafer、凸塊（Bumping）及矽穿孔（TSV, Through Silicon Via）via-reveal封裝等，力成將優先推薦客戶使用華邦電之矽中介層（Silicon-Interposer）及其他產品，包括動態隨機存取記憶體（DRAM）及快閃記憶體（Flash）等以完成前述之先進封裝服務，達成異質整合以滿足市場對高寬頻及高效能運算的服務需求。

力成表示，華邦電嶄新一代的矽中介層技術，是其在開發CUBE DRAM系列的伴隨產品，不僅實現高效能AI邊緣運算，更結合了力成於2.5D和3D的異質整合封裝技術。這不僅強化了產品之高寬頻性能，還降低了資料傳輸所需的電力，從而迎合AI時代對高速運算及低耗能的期望和需求。

力成也指出，此次和華邦電進行上下游整合服務，將能夠爲客戶提供更多異質整合方案，以促進AI技術的發展，進而引領AI邊緣運算領域的迅速蓬勃發展。

隨着人工智慧技術的蓬勃發展，市場對於寬頻及高速運算的需求急遽上升，進而帶動對先進封裝及異質整合的強烈需求。力成表示，該公司作爲業界的領先者，堅定決心投入並引領這場技術浪潮。這項戰略合作旨在滿足市場對 2.5D（Chip on Wafer on Substrate）及3D先進封裝的強烈需求並超越客戶期待。