三大廠缺產能 DRAM現貨價飆
由於三大DRAM廠去年資本支出相對保守，加上調撥20奈米世代舊制程產能生產CMOS影像感測器（CIS）或投入晶圓代工，導致今年以來產能供不應求，並推升1月現貨價及合約價同步調漲。
然而中國農曆年後需求不減反增，加上業界傳出三大DRAM廠已通知客戶無法保證第二季足額供貨，造成現貨價上週大漲10～15％，缺貨嚴重的2Gb DDR3更在上週飆漲逾30％。
由於標準型、利基型、伺服器等各應用別DRAM現貨價全面飆漲停不住，加上預期三大DRAM廠將在3月之後採配額銷售（allocation），業界預期DRAM供不應求將導致價格一路漲到年底。法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、晶豪科（3006）、鈺創（5351）等DRAM類股營運逐季成長且旺到年底。
包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠去年投資重心放在製程升級，今年雖然有新產能陸續投入量產，但主要是用於填補製程由1z奈米微縮至1a奈米導致的產能自然減損，加上三星及SK海力士將舊制程移轉生產CIS元件或轉爲晶圓代工，DRAM總投片量幾乎與去年持平，位元供給量增加幅度十分有限。
不過，中國農曆年後DRAM需求呈現跳躍成長，包括5G智慧型手機搭載行動式DRAM平均容量較4G手機增加逾五成，英特爾及超微新平臺筆電DRAM主流搭載容量倍增至16GB，資料中心及伺服器出貨轉強帶動伺服器DRAM強勁需求。由於上半年並無新產能開出，但需求大幅提升已造成供貨嚴重吃緊，業界傳出，三大DRAM廠已通知客戶無法保證第二季能夠足額供貨，造成DRAM搶貨風潮再起，現貨價近日持續飆漲。
根據集邦科技及模組廠報價，標準型8Gb DDR4現貨價上週大漲10％達4.8～4.9美元，預期本週將一舉站上5美元大關並創近二年新高。利基型4Gb DDR3現貨價上週大漲逾15％達3.5美元，預期近期將上看4美元，至於缺貨嚴重的利基型2Gb DDR3現貨價上週大漲逾30％達2.85美元，預期本週將漲破3美元並改寫五年來新高。
受惠DRAM現貨價大漲，南亞科1月合併營收55.32億元，華邦電1月合併營收69.03億元，鈺創1月合併營收3.41億元，表現均優於預期。去年爭取到低價DRAM晶圓產能的晶豪科1月合併營收16.32億元創歷史新高，自結單月稅後淨利1.39億元，較去年同期成長157％，每股淨利0.48元優於預期。法人看好價格漲勢延續到下半年，將帶動DRAM廠今年營運逐季成長且一路看旺到年底。