三星將於2024年Q4或2025年Q1先於臺積電安裝High-NA EUV光刻機

三星電子（Samsung Electronics）將引進其首個High-NA 0.55 EUV 光刻工具，從而實現半導體制造技術的重大飛躍。該公司計劃在 2024 年第四季度至 2025 年第一季度期間在其華城園區安裝 ASML Twinscan EXE:5000 系統，這標誌着其在開發用於邏輯和 DRAM 生產的下一代工藝技術方面邁出了關鍵一步。

此舉使三星在採用 High-NA EUV 技術方面落後於英特爾一年，但領先於競爭對手臺積電和 SK 海力士。該系統預計將於 2025 年中期投入使用，主要用於研發目的。

三星不僅關注光刻設備本身，還在圍繞 High-NA EUV 技術建立一個全面的生態系統。該公司正在與幾個重要的合作伙伴合作，如 Lasertec（開發用於High-NA光罩的檢測設備）、JSR（開發先進的光刻膠）、東京電子（增強蝕刻機）和 Synopsys（在光罩上轉向曲線圖案，以提高電路精度）。High-NA EUV 技術有望在芯片製造方面取得重大進展。

與目前的低納秒級超紫外系統相比，High-NA秒級超紫外技術具有 8 納米的分辨率能力，可使晶體管的尺寸縮小約 1.7 倍，晶體管密度提高近三倍。然而，向高NA EUV過渡也面臨着挑戰。這些工具更加昂貴，每件成本高達 3.8 億美元，而且成像區域較小。其較大的尺寸也要求芯片製造商重新考慮晶圓廠的佈局。

儘管存在這些障礙，三星的目標是到 2027 年實現High-NA超高真空技術的商業應用。