三星拚明後年要追上臺積電 研調看衰

DIGITIMES Research指出，邏輯晶片製程現已達5奈米節點，且量產業者爲數有限，臺積電雖技術領先，但三星亦積極追趕，除4奈米制程將在2021年下半推出之外，並將在3奈米啓用環繞式閘極場效電晶體（GAAFET）技術欲超越臺積電，然三星已推遲3奈米制程至2023年量產，恐使其更難追趕臺積電。

據瞭解，臺積電的3奈米制程目前已經進入裝機階段，預計2022年下半年將進入量產，目前供應鏈陸續傳出既有大客戶蘋果將繼續採用之外，英特爾也將在臺積電3奈米制程投片量產，顯示臺積電在先進製程技術上仍舊遠遠領先三星。

依據三星的資料，因其5奈米技術僅爲7奈米的改良版，對比臺積電同樣製程節點，三星在晶片速度提升、功耗改善表現相對落後；同時，三星4奈米制程雖將在2021年量產，但推算其製造的晶片性能表現，恐僅與採用臺積電5奈米技術製造的晶片相當。

DIGITIMES Research表示，三星雖將在3奈米制程率先量產GAAFET，速度優於臺積電預計在2奈米制程啓用的GAAFET，但三星所製造的晶片速度與功耗改善預估僅與臺積電3奈米技術相當。

而三星將3奈米技術量產時程從2022年延至2023年，意味臺積電2022年量產3奈米時，三星將由第二代4奈米制程應戰，且三星領先臺積電量產GAAFET技術的時間恐由一年半大幅縮短至約半年。

即使三星「系統半導體願景2030」（System Semiconductor Vision 2030）戰略將砸逾1500億美元加強技術研發、EUV設備採購與產能布建，欲奪下全球邏輯晶片製造的龍頭地位，然考量與臺積電既有技術差距、新技術量產時點、EUV設備數量、資本支出規模等，DIGITIMES Research分析師陳澤嘉認爲，三星的願景恐不易達成。