三星新年計劃 衝刺NAND Flash、晶圓代工
韓國半導體大廠三星電子2021年投資動向備受業界矚目，據外電消息，三星在2021年的資本支出將着重於NAND Flash及晶圓代工的技術升級及產能擴充，包括176層3D NAND的第七代V-NAND產品線進入量產，以及擴建極紫外光（EUV）產能以因應5奈米及3奈米晶圓代工強勁需求。至於DRAM產能建置在2020年已經完成，2021年投資金額及擴產規模相對保守。
三星2021年記憶體投資將以NAND Flash爲主體，主要策略點是爲了拉開與競爭對手鎧俠、美光、SK海力士等技術及產能差距。三星雖然領先同業發佈176層3D NAND技術，但美光及SK海力士在2020年底已宣佈在176層3D NAND技術取得突破，所以三星面臨對手後來居上的壓力。
再者，第二大廠鎧俠（Kioxia）與合作伙伴威騰（WD）持續擴建NAND Flash新廠，包括在日本巖手縣北上市新廠K1已開始小量生產，K2廠已計劃在2021年上半年動工，預計2022年上半年開始生產，至於位於日本三重縣四日市生產基地的Fab 7第一期將於2022年上半年完工。
對三星而言，對手積極擴產及技術升級加速，加上SK海力士將收購英特爾NAND Flash事業，所以2021年勢必要更積極加碼在NAND Flash投資。三星的中國西安廠二期第一階段已量產，第二階段在2021年下半年完工，韓國平澤P2廠的NAND Flash新產能預計2021年下半年量產。
三星晶圓代工的韓國華城廠已在2020年量產採用EUV技術的5奈米制程，平澤廠也擴大5奈米產能因應強勁晶圓代工需求。雖然三星要在產能規模追趕上臺積電仍有很大的難度，但三星2021年將投下巨資擴建EUV產能及加速3奈米制程研發，希望2022年3奈米可投入量產。
不過，隨着近期DRAM市況明顯好轉，且業界對2021年第一季價格止跌上漲已有共識，但三星2021年在DRAM事業的資本支出卻趨於保守，業界分析除了計劃擴增的產能在2020年已完成建置，亦希望維持DRAM市場供需平衡，可爲三星帶來穩健的營收及獲利。