突圍美國晶片戰 中國加碼480億美元「大基金」

中國積極推動半導體產業自主，近日成立「大基金」第三期，註冊資本達480億美元。圖爲華潤微電子半導體晶圓生產線。（新華社）

爲推動半導體科技自主，中國近日成立第三期針對積體電路產業的「國家大基金」，註冊資本達人民幣3440億元（約480億美元）。有分析指出，該期基金主要投資方向除延續對半導體設備和材料的支援，還可能將高附加價值DRAM晶片、AI晶片、先進半導體設備和半導體材料等列爲重點投資對象，以推進關鍵技術突破。

近年美中科技戰不斷升級，美國對北京在關鍵技術領域發起圍堵制裁，甚至聯合其他盟國例如日本、荷蘭等，相繼發佈更加嚴格的出口禁令。爲減緩美國「卡脖子」造成產業發展阻力，北京近年發起銀彈攻勢，試圖扭轉困局。

中國所謂「國家大基金」或稱「大基金」，全名爲國家積體電路產業投資基金。綜合財聯社等陸媒報導，中國國家積體電路產業投資基金三期股份有限公司24日成立，法定代表人爲張新，註冊資本人民幣3440億元。

工商登記資訊平臺顯示，大基金三期的經營範圍爲私募股權投資基金管理、創業投資基金管理服務；該公司由19位股東共同持股，中國財政部持有17.44%最多，成爲最大股東，其次是國開金融、上海國盛等大陸國企，及建設銀行、中國銀行等國有銀行。

爲突破半導體產業融資瓶頸，中國2014年9月成立大基金第一期，註冊資本人民幣987.2億元人民幣，重點投資積體電路晶片製造業，以及晶片設計、封裝測試、設備與材料等。2019年10月，因應中美科技戰加劇，中國再加碼人民幣2041.5億元，註冊成立大基金二期，投資方向也更多元，涵蓋晶圓製造、積體電路設計工具、晶片設計、封裝測試、設備、零件、材料、應用等。

針對大基金三期，中國華鑫證券研報指出，除延續對半導體設備和材料的支援外，有可能將HBM（高頻寬記憶體）等高附加價值DRAM（動態隨機存取記憶體）晶片列爲重點投資對象。

另據中國基金報，大基金三期註冊資本遠超前兩期，若以大基金一期、二期分別撬動人民幣5000到6000億元社會資金來看，此次大基金三期未來募資規模及撬動的資金規模值得期待。報導還指，大基金三期投資重點包括AI晶片、先進半導體設備（尤其是曝光機等）、半導體材料（光阻劑等）。

隨三期成立，大基金一、二期公司法定代表人也同步更新爲張新。公開資料顯示，張新是在去年三月進入大基金董監事高層團隊，他曾任中國工信部規畫司一級巡視員，曾赴北京順義調查指導第三代半導體產業發展。