意法半導體新MDmesh MOSFET提升效能 大幅降低開關功率損耗

意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列爲這種超接面技術樹立了兼具高性能和易用性的標準。MDmesh K6的導通阻抗x晶片面積參數優於市面上現有800V產品，能夠實現結合高功率密度並領先市場效能的緊密全新設計。

此外，K6系列的閘極閾值電壓相較上一代MDmesh K5更低，可使用更低的驅動電壓，進而降低功耗並提升效能，主要用於待機零功耗的應用。總閘極電荷（Qg）極低，以實現高開關速度和低損耗。

晶片上結合一個ESD保護二極體，將MOSFET的整體耐用性提升到人體放電模型（Human Body Model，HBM）2級。

義大利固態照明創新企業TCI的技術長暨研發經理Luca Colombo表示，我們已經測試評估了新的超接面高壓MDmesh K6系列的樣品，並注意到其出色的導通阻抗 x 晶片面積和總閘極電荷（Qg）效能。

意法半導體將於2022年前推出MDmesh K6的完整產品組合，將產品導通電阻的範圍從0.22Ω擴大至4.5Ω，並增加一系列封裝選擇，包括SMD和通孔包裝。