平創半導體申請基於Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及製造方法專利，可降低失效風險提高可靠性

金融界2025年1月28日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳平創半導體有限公司與重慶平創半導體研究院有限責任公司申請一項名爲“一種基於Si IGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及製造方法”的專利，公開號CN 119361549 A，申請日期爲2024年12月。

專利摘要顯示，本申請提供一種基於S iIGBT和SiC MOSFET的混合功率模塊及製造方法，該混合功率模塊包括：由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片組成的半橋結構，所述半橋結構的每一橋臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片並聯並反向並聯一二極管組成；覆銅陶瓷基板，其用於搭載所述半橋結構，所述覆銅陶瓷基板連接功率端子和信號端子；散熱基板，其與所述覆銅陶瓷基板貼合；封裝殼體，其與所述散熱基板配合對所述覆銅陶瓷基板進行密封封裝，其中所述功率端子集成在所述封裝殼體上。本申請可縮小SiIGBT芯片與SiCMOSFET芯片的結溫差距，降低SiCMOSFET芯片的鍵合線和焊層因長期的高溫和熱應力而失效的風險，提高混合功率模塊的可靠性。

天眼查資料顯示，深圳平創半導體有限公司，成立於2021年，位於深圳市，是一家以從事軟件和信息技術服務業爲主的企業。企業註冊資本50萬人民幣，實繳資本50萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳平創半導體有限公司專利信息81條，此外企業還擁有行政許可2個。

本文源自：金融界

作者：情報員