英特爾代工獲新客戶　美國防部RAMP-C採18A製程

▲英特爾。（圖／路透）

記者高兆麟／綜合報導

英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣佈國防工業基礎（DIB）客戶Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems，成爲「快速保證微電子原型-商業計劃」（RAMP-C）第三階段成員。該計劃隸屬於美國國防部研究與工程副部長辦公室的Trusted & Assured Microelectronics（T&AM）計劃。RAMP-C計劃經S²MARTS OTA授予，使DIB客戶能夠利用英特爾晶圓代工領先的Intel 18A製程和先進封裝技術，爲美國國防部提供商業和DIB產品的原型開發與量產。英特爾晶圓代工副總裁暨航太、國防與政府業務事業羣總經理Kapil Wadhera表示：「我們非常歡迎Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems加入英特爾與美國國防部合作的RAMP-C計劃。這次合作將推動領先、安全的半導體解決方案，對於國家安全、經濟成長和技術領導地位至關重要。我們對英特爾晶圓代工在支持美國國防方面扮演關鍵角色感到自豪，期待與最新加入的DIB客戶密切合作，利用領先的Intel 18A技術實現他們的創新。」美國國防部研究與工程副部長辦公室T&AM計劃經理Catherine Cotell博士表示：「RAMP-C計劃持續推動先進微電子技術的發展，以提供美國國防部和商業應用，並支援美國領先的半導體設計和製造，以加強國家安全。」在RAMP-C計劃中，英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權（IP）、電子設計自動化（EDA）和設計服務供應商，縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案，爲DIB客戶提供最新制程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。協助DIB客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A是英特爾自2011年將鰭式場效電晶體（FinFET）導入量產以來最重要的電晶體創新，整合了英特爾全新PowerVia背部供電技術和RibbonFET環繞式閘極（GAA）技術，顯著改善每瓦效能和密度。此外，DIB客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB），爲異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。