《科技》英特爾晶圓代工攜美國防部 RAMP-C計劃添新客戶

此計劃隸屬美國國防部研究與工程副部長辦公室（OUSD R&E）的T&AM計劃。RAMP-C計劃經S2MARTS OTA授予，使DIB客戶能利用英特爾晶圓代工領先的Intel 18A製程和先進封裝技術，爲美國國防部提供商業和DIB產品的原型開發與量產。

英特爾晶圓代工在RAMP-C計劃中，協助戰略客戶、智慧財產權（IP）、電子設計自動化（EDA）和設計服務供應商縮短設計時間，由英特爾晶圓代工及其生態系提供可立即使用解決方案，爲DIB客戶提供最新制程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。

協助DIB客戶提前取得先進半導體技術，爲滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A製程整合全新PowerVia背部供電技術和RibbonFET環繞式閘極（GAA）技術，顯著改善每瓦效能和密度。

英特爾指出，Intel 18A是英特爾自2011年量產鰭式場效電晶體（FinFET）以來最重要的電晶體創新。同時，DIB客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接（EMIB），爲異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。

RAMP-C計劃自2021年10月啓動至今成果卓越，英特爾晶圓代工在奠定基礎、擴大與增加客戶羣、先進原型設計和製造等三階段皆發揮關鍵作用。首先，英特爾晶圓代工領導技術開發、創建IP和生態系，併爲客戶測試晶片流片做好準備。

其次，透過加入波音公司和諾斯洛普格魯曼等DIB首批主要客戶，以擴大客戶羣。英特爾晶圓代工持續提升IP和生態系解決方案，使新客戶能以Intel 18A製程技術爲基礎進行設計、開發和流片。

最後，在2024年4月獲得該計劃獎項後，英特爾晶圓代工推動早期DIB產品原型流片和測試。此階段凸顯Intel 18A技術已做好量產準備，也爲廣泛測試晶片和多個商業與DIB產品原型流片揭開序幕。

英特爾晶圓代工副總裁暨航太、國防與政府業務事業羣總經理Kapil Wadhera表示，此次合作將推動領先、安全的半導體解決方案，對於國安、經濟成長和技術領導地位至關重要。期待與最新加入的DIB客戶密切合作，利用領先的Intel 18A技術實現其創新。

美國國防部研究與工程副部長辦公室T&AM計劃經理Catherine Cotell表示，RAMP-C計劃持續推動先進微電子技術發展，以提供美國國防部和商業應用，並支援美國領先的半導體設計和製造，以加強國家安全。