英特爾晶圓代工宣佈美國國防部RAMP-C計畫加入新客戶

英特爾晶圓代工宣佈國防工業基礎（Defense Industrial Base，以下簡稱DIB）客戶Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems，成爲「快速保證微電子原型-商業計劃」（RAMP-C）第三階段成員。英特爾表示，經由參與美國DIB計劃後，DIB客戶能夠利用英特爾晶圓代工領先的Intel 18A製程和先進封裝技術，爲美國國防部提供商業和DIB產品的原型開發與量產。

在RAMP-C計劃中，英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權（IP）、電子設計自動化（EDA）和設計服務供應商，縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。

英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案，爲DIB客戶提供最新制程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。

協助DIB客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A是英特爾自2011年將鰭式場效電晶體（FinFET）導入量產以來最重要的電晶體創新，整合了英特爾全新PowerVia背部供電技術和RibbonFET環繞式閘極（GAA）技術，顯著改善每瓦效能和密度。

此外，DIB客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB），爲異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。

英特爾強調，RAMP-C計劃自2021年10月啓動至今成果卓越，英特爾晶圓代工在三個階段皆發揮關鍵作用。包括奠定基礎：領導技術開發、創建IP和生態系，併爲客戶測試晶片流片做好準備；其次是擴大與增加：透過加入波音公司和諾斯洛普格魯曼等DIB首批主要客戶，以擴大客戶羣。英特爾晶圓代工持續提升IP和生態系解決方案，使新客戶能夠以Intel 18A製程技術爲基礎進行設計、開發和流片；第三是先進原型設計和製造：2024年4月獲得該計劃獎項後，英特爾晶圓代工推動了早期DIB產品原型的流片和測試。此階段凸顯Intel 18A技術已做好量產的準備，也爲廣泛測試晶片和多個商業與DIB產品原型流片揭開序幕。

英特爾晶圓代工宣佈美國國防部RAMP-C計劃加入新客戶。圖/英特爾提供