浙江創芯申請OPC模型相關專利，有利於降低光學鄰近修正方法的誤差

金融界2024年11月11日消息，國家知識產權局信息顯示，浙江創芯集成電路有限公司申請一項名爲“OPC模型的建立方法和裝置、光學鄰近修正方法和設備、存儲介質”的專利，公開號CN 118915374 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，一種OPC 模型的建立方法和裝置、光學鄰近修正方法和設備、存儲介質，所述建立方法包括：形成半導體結構，所述半導體結構具有經刻蝕層；通過量測機臺，對所述經刻蝕層進行量測，獲得刻蝕後量測值；將所述刻蝕後量測值轉換爲對應的顯影后量測值；根據所述顯影后量測值，建立OPC模型。所述經刻蝕層中圖形的輪廓清晰度更高，量測機臺所獲得的刻蝕後量測值準確度更高、精度更高，以刻蝕後量測值轉換而得的顯影后量測值爲基礎所建立的OPC模型的誤差更小、精度更高，有利於降低光學鄰近修正方法的誤差，提高修正精度。

本文源自：金融界

作者：情報員