三星少主出獄首發劍指臺積電 放話搶先量產2奈米晶片

三星電子今(7日)在2021年三星晶圓代工論壇公佈家晶圓代工未來架構方向。(示意圖/達志影像)

三星電子今(7日)在2021年三星晶圓代工論壇表示，準備在2025年搶先臺積電量產2奈米制程晶片，這是三星少主李在鎔8月出獄後，首次提出挑戰晶圓代工龍頭臺積電的未來戰略，劍指臺積電的意味濃厚。

綜合韓媒報導，三星公佈家晶圓代工未來架構方向表示，預計在2023年使用第2代3奈米制程，並在2025年時，使用GAA(閘極全環電晶體技術)產出的2奈米技術來量產晶片，並指出，最晚將在2026年時，晶圓代工產能要再增近1倍左右。

三星表示，他們獨特的GAA技術，可使晶片面積減少35%，性能提高30%，功耗降低50%，並提升至與採用FinFET(鰭式場效電晶體技術)5nm製程一樣的性能。

媒體分析指出，三星有機會藉由導入GAA技術，超車臺積電，如果三星搶先在臺積電之前推出先進製程，將有機會獲得蘋果、高通等科技大廠的訂單。