臺積電首臺High NA EUV傳本月進機 逾4億歐元設備恐交管入廠

ASML High NA EUV 產品管理副總裁 Greet Storms。公司提供

業界傳出，晶圓代工龍頭臺積電（2330）首臺艾司摩爾（ASML） High NA EUV微影系統設備傳本月將進機，持續領先三星晶圓代工的交機進度，由於該款逾4億歐元設備且因光鏡頭鏡片無法分拆入廠，高度比一間會議室還高且長度也遠超前一代設備，因規格特殊且精密，恐須機場或港口聯通的高速公路交管或特定深夜運送入廠避免交通不順。

對於業界傳聞，ASML今日提到不評論單一客戶。臺積電9日傍晚迴應本報記者也提到不迴應市場傳聞。

不過，業界盛傳，臺積電首臺艾司摩爾High NA EUV傳本月將進機，預計移入臺積電全球研發中心，用於研發用途，進而應對後續先進製程開發需求。

艾司摩爾已獲得所有EUV客戶下單下世代High NA EUV，回顧ASML High NA EUV 產品管理副總裁 Greet Storms上週五受訪提到，「ASML持續推進新的技術並獲得每個EUV客戶在研發階段青睞，這些也都是我們high NA客戶，也都有下單給我們，2026年希望是往量產方向推進」，不過仍看客戶製程成本等總體考量。

艾司摩爾先前曾證實，今年底前將向臺積電交付最新的High-NA EUV。

艾司摩爾先前強調High NA EUV 微影系統已於去年底開始陸續出貨，產能預計每小時可曝光超過 185 片晶圓，將支援 2 奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。

艾司摩爾強調，在先進製程晶片製造中導入 EUV 技術可簡化製程工序、減少光罩數量，達到產能和良率提升，進而降低生產每片晶圓的用電量。ASML 預估，若在先進製程中導入包括 EUV 和 High NA EUV 微影系統，到 2029 年，使用 ASML 微影技術生產每一片晶圓使用的 100 度電，將爲整體制程節省 200 度電。