挺進亞洲最大電子展 工研院東京發表車用驅動碳化矽功率模組

工研院攜手臺達於日本國際電子展展出「1200V／660A T2系列碳化矽功率模組」可加強散熱效果並降低耗能，同時提高系統功率密度，要爭取打入歐美汽車產業鏈。(工研院提供)

亞洲最大國際電子展「日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN）」今（22日）在東京舉行，工研院前進發表車用碳化矽（SiC）技術解決方案，並以「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵（GaN）」、「功率氧化鎵（Ga2O3）」以及「400kW大電力直流變壓器」四大專區，展示逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果，吸引逾8萬人次參觀，車輛零件商、車廠製造商會中洽談合作。

工研院電子與光電系統研究所長張世傑表示，要讓電動車能在高壓、高溫下穩定運行，具備更高的功率密度的寬能隙化合物半導體材料一碳化矽（SiC），成爲目前電動車技術深受關注的元件材料。本次展出與臺達共同開發的碳化矽功率模組，是具備提升電動車動力效能、延長續航能力、加速充電設備發展的最新車載半導體技術，已通過可靠度測試，期盼打入歐美日汽車產業關鍵客戶。

在「400kW大電力直流變壓器」展區中，則展出與美國阿肯色大學合作，透過該院開發的3.3kV碳化矽功率模組整合於400kW直流變壓器。驗證於直流電壓1800V、電流375A、操作溫度150℃的條件下，模組切換損失比商用模組節省30％，系統效率並可達到98％以上的效能，可推升未來再生能源及儲能等超高電壓的電力轉換系統應用。