爲了英偉達你追我趕！三星用4nm豪賭HBM4 SK海力士卻瞄準了硅中介層

《科創板日報》7月16日訊（編輯 朱凌）從HBM3E芯片的10nm製程，一下子跳到4nm製程，三星正企圖在第六代高帶寬內存芯片（HBM4）超越SK海力士與臺積電，奪回主導地位。韓國經濟日報援引消息人士的話稱，三星將採用4nm製程生產HBM4芯片邏輯裸晶，超出了業界預期的7~8nm製程。

儘管4nm製程成本比7~8nm製程高得多，但在性能和功耗方面擁有巨大優勢。三星4nm製程的良品率已經超過70%，已應用於三星Galaxy S24旗艦手機的Exynos 2400處理器。

伴隨着AI熱浪，以英偉達爲代表的GPU龍頭對HBM的需求不斷增長。HBM由數個DRAM顆粒和邏輯裸晶垂直堆疊組成，而邏輯裸晶位於底部，負責控制DRAM，是HBM的核心部件。

在第五代HBM3E及之前，邏輯裸晶均由存儲器廠商生產。不過，爲了滿足客戶定製化需求，從HBM4開始，需要經過代工流程。SK海力士也因此與臺積電結成了“HBM4聯盟”。

與SK海力士不同，三星自己就擁有晶圓代工部門，三星已經將晶圓代工部門員工派往HBM開發團隊。AI相關計算需要消耗大量電力，更高的性能和更低功耗成爲市場關注重點。三星通過內存部門和代工部門的緊密合作，從邏輯裸晶的設計階段尋求優化，以最大限度地提高HBM4芯片的性能和功耗水平。

不過，三星的HBM目前仍沒有通過英偉達的合格測試。據臺灣電子時報最新報道，三星HBM3E將有望於第3季度獲得認證出貨，待相關程序完成後，將可量產供貨。

當然，作爲英偉達HBM3和HBM3E主要供應商的SK海力士不可能坐以待斃。其在今年4月就與臺積電簽署了諒解備忘錄，合作生產HBM4，提高邏輯裸晶性能，並整合CoWoS技術。

當時有業內人士預計SK海力士的邏輯裸晶有望採用臺積電7nm製程。而日前也有消息稱，SK海力士將採用臺積電5nm製程來生產HBM4邏輯裸晶，並聘請了經驗豐富的邏輯設計工程師以提高HBM4的性能。

同時，爲了與英偉達鞏固HBM同盟，SK海力士正試圖成爲英偉達硅中介層供應商。據韓國媒體Money Today報道，SK海力士已向全球第二大封測廠Amkor協商供應硅中介層樣品。SK海力士將自己生產的HBM和硅中介層等發送給Amkor，由Amko將把它們與英偉達等客戶的GPU組裝成AI加速器。