長光華芯申請一種半導體發光結構的製備方法專利，利用低成本的方式提高了具有反波導的半導體發光結構的製備精度

金融界2024年7月5日消息，天眼查知識產權信息顯示，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司申請一項名爲“一種半導體發光結構的製備方法的專利”，公開號CN202410725721.2，申請日期爲2024年6月。

專利摘要顯示，本發明提供一種半導體發光結構的製備方法，包括：在半導體襯底層上形成有源層；在有源層背離所述半導體襯底層的一側形成第一半導體包層；在部分第一半導體包層背離有源層的一側形成第一掩膜層；以第一掩膜層爲掩膜刻蝕部分厚度的第一半導體包層，使第一掩膜層底部的部分厚度的第一半導體包層形成脊波導，脊波導的寬度小於第一掩膜層的寬度；在脊波導兩側的第一半導體包層上形成第二掩膜層，第二掩膜層與第一掩膜層的橫向距離大於零；在第一掩膜層和第二掩膜層之間的第一半導體包層上形成位於脊波導兩側且與脊波導間隔的反波導，反波導的折射率高於所述脊波導的折射率。本發明採用低成本的方式，提高了具有反波導的半導體發光結構的製備精度。

本文源自：金融界

作者：情報員