武漢楚興申請一種半導體結構製備方法及製備系統專利，降低沉積金屬氮化層時的雜質含量

金融界 2024 年 11 月 15 日消息，國家知識產權局信息顯示，武漢楚興技術有限公司申請一項名爲“一種半導體結構製備方法及製備系統”的專利，公開號 CN 118943077 A，申請日期爲 2023 年 5 月。

專利摘要顯示，本申請提供了一種半導體結構製備方法及製備系統，該方法包括：提供襯底；在襯底的一側形成介質層；刻蝕介質層，形成貫穿介質層的通道，以暴露出襯底的表面，以便後續導電互連結構的形成。預先將反應源氣體與還原性氣體混合後，通入反應腔室，在第一溫度下，反應源氣體與還原性氣體發生反應，在通道的內壁和暴露出的襯底的表面形成金屬氮化層。由於反應源氣體與還原性氣體反應後，可以形成易揮發性物質，從而降低了沉積金屬氮化層時的雜質含量，可以提高沉積的金屬氮化層的緻密性，降低電阻，改善器件性能。最後在金屬氮化層遠離襯底的一側形成金屬填充層，金屬氮化層和金屬填充層形成互連結構的導電層。以便形成導電性能良好的半導體互連結構。

本文源自：金融界

作者：情報員