上海積塔半導體申請半導體結構製備方法及半導體結構專利，有效減小器件漏電流

金融界2025年1月29日消息，國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名爲“半導體結構的製備方法及半導體結構”的專利，公開號 CN 119364793 A，申請日期爲 2024年10月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種半導體結構的製備方法及半導體結構。方法包括：提供襯底，並於襯底上形成沿第一方向間隔排布的檯面結構，第一方向爲平行襯底的方向，相鄰的檯面結構之間具有隔離溝槽；形成第一隔離材料層，第一隔離材料層位於隔離溝槽內，且覆蓋檯面結構的頂面；去除部分第一隔離材料層，以形成初始隔離材料層；於初始隔離材料層的頂面形成第二隔離材料層；去除位於檯面結構頂面的部分初始隔離材料層及部分第二隔離材料層，以形成目標接觸孔，剩餘的初始隔離材料層構成第一隔離層，剩餘的第二隔離材料層構成第二隔離層。上述方法能夠有效減小器件漏電流，並增大工藝窗口。

天眼查資料顯示，上海積塔半導體有限公司，成立於2017年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本1690740.3918萬人民幣，實繳資本1607601.0503萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海積塔半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目1806次，知識產權方面有商標信息9條，專利信息896條，此外企業還擁有行政許可177個。

本文源自：金融界

作者：情報員