上海華虹宏力半導體申請超級結器件及形成方法專利，形成了不同的開啓電壓

金融界2024年12月10日消息，國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名爲“超級結器件及形成方法”的專利，公開號 CN 119092530 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種超級結器件及形成方法，包括：在襯底的正面形成第一導電類型的外延層；形成零層對準標記；形成第二導電類型柱光刻對準中心，與零層對準標記對準，在外延層內形成第二導電類型柱；形成阱區光刻對準中心，阱區光刻對準中心與零層對準標記具有偏移距離，在靠近外延層表面的外延層內形成若干個間隔的阱區，部分阱區位於第二導電類型柱的表面；形成柵極光刻對準中心，柵極光刻對準中心與零層對準標記對準，在外延層的表面形成柵極；形成源區光刻對準中心，源區光刻對準中心與零層對準標記對準，在柵極兩側的阱區內形成源區，兩側的源區分別位於相鄰的兩個阱區內；在靠近背面的襯底內形成漏區。本發明形成了不同的開啓電壓。

本文源自：金融界

作者：情報員